مشخصات BF 199
| جنس نیمه هادی |
سیلیسیوم (Si) |
|---|---|
| قطبیت |
NPN |
| حداکثر توان مصرفی (Pc) |
350 mW |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) |
40 V |
| حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) |
25 V |
| حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) |
4 V |
| حداکثر جریان کلکتور(Ic) |
50 mA |
| حداکثر دمای محل پیوند (Tj) |
150 C |
| انتقال فرکانس (Ft) |
1100 MHz |
| ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) |
0.4 pF |
| حداقل بهره جریان (Hfe) |
38 |
| قاب ترانزیستور |
TO92 |
| کاربردها |
emitter grounded TV IF stages |
دیدگاه ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.